QCVN BCT - World Trade Organization
May · Cấy ion silicon là để pha tạp các ion tích điện có năng lượng keV MeV vào silicon phân phối ở độ sâu nm um để cải thiện tính chất bề mặt Silicon ion implantation is to dope charged ions with keV MeV energy into silicon distributing in nm um depth to improve surface properties