IGBT Wikipedia tiếng Việt
IGBT (insulated-gate bipolar transistor) Transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất cực được phát minh bởi Hans W Beck và Carl F Wheatley vào năm IGBT kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển